Να τα καλά τα σχέδια!
Ξέρω ότι ο "μικρός" αποτέλεσε σημείο αναφοράς για σένα και για άλλα σχέδια, αλλά αυτό δεν είναι επί του παρόντος.
Ξέρω επίσης ότι έχεις μάθει απέξω το "
Design Power Amplifiers" του
B. Cordell, σύμφωνα με αυτόν μια τοπολογία
Complementary Feedback Pair (CFP) με
common emitter (CE) τοπολογία στα στάδια εξόδου (βρωμιάρικο έκλεψες την ιδέα από τον ενισχυτή μου, έτσι
, προτιμάτε από αρκετούς σχεδιαστές γιατί προσδίδει υψηλό βαθμό τοπικής ανατροφοδότησης το οποίο βοηθά πολύ στη γραμμικότητα του κάθε μισού του σταδίοιυ εξόδου.
Αυτό επιφέρει πολύ χαμηλή αντίσταση εξόδου, μειώνει το φαινόμενο παραμόρφωσης διασταύρωσης (crossover distortion).
Τέλος το κάθε μισό δρα σαν σούπερ εκπομπός ακόλουθος με εξαιρετικά υψηλή διαγωγιμότητα (transconductance).
Βέβαια απαιτεί πολύ προσεκτικό ματσάρισμα των σταδίων εξόδου και των οδηγών και μεγάλη προσοχή στο layout της πλακέτας, καθότι η αύξηση χωρητικότητας λόγω των διαδρομών, εύκολα το βγάζει εκτός σταθερότητας!
Σε μένα ο κατασκευαστής (όχι ότι τον εμπιστεύομαι) αναφέρει ότι η επιλογή των σταδίων εξόδου που φθάνουν μόνο μέχρι τα 120KHz (DC-120.000Hz) δεν ήταν τυχαία επιλογή και επιλέχθηκαν για λόγους σταθερότητας.
Θυμάσαι και μια συζήτηση που είχαμε για το πόσο τα CFP, επηρεάζονται αρνητικά από στάδια εξόδου με υψηλό hfe. Αλήθεια εσύ εδώ δεν έβαλες bipolar, αλλά Mosfet, ποιά έβαλες και τι χαρακτηριστικά hfe και εύρος έχουν;
Είναι αλήθεια ότι η τοπολογία CFP ακούγεται τελείως διαφορετική από τις συνήθεις άλλες υλοποιήσεις και έχει ένθερμους υποστηρικτές.
Σε επόμενα μηνύματα θα σε ρωτήσω και άλλα πράγματα, αλλά πρωτίστως επειδή έχεις τα βασικά εργαλεία, βάλε σιγά-σιγά και μια συμπεριφορά τετράγωνου κυρίως στα 20KHz αλλά και παραπάνω να δούμε το πως συμπεριφέρεται.