Κατα την αποψη μου, η διαφορα μεταξυ ενος τελεστικου ενισχυτη σε συσκευασια τσιπ (ΙC) και ενος με διακριτα στοιχεια, βρισκεται κυριως στο πλατος της τασης τροφοδοσιας. Δεν γνωριζω εαν υπαρχει σημερα καποιος Τ.Ε. σε IC που να δεχεται ταση μεγαλυτερη απο +/- 22Vdc. Αντιθετα ενας με διακριτα στοιχεια μπορει να τροφοδοτηθει ανετα με τασεις εως +/-40Vdc (ωστε να μπορει να περιλαμβανει πχ τα εξαιρετικα bjt BC550-BC560) πραγμα που του δινει φοβερο "αερα" κατα την επεξεργασια σηματων μικρου πλατους (πχ ενα CD player δεν δινει εξοδο μεγαλυτερη απο 2Vrms) τα οποια ουτως η αλλως δεν καλειται να τα ενισχυσει (το κερδος του ειναι ρυθμισμενο Av=1) και κατα συνεπεια η αποδοση του απο ολες τις αποψεις ειναι αφθαστη. Μην βγαζετε βιαστικα συμπερασματα οπως "και ενα IC με τροφοδοσια +/-15Vdc παλι δεν θα κλιπαρει σε ενα σημα 2Vrms" γιατι υπαρχει κλιμακωση των παραμορφωσεων. Το κυριο χαρισμα ενος discrete τελεστικου ειναι το εξαιρετικο GBP (αποκριση συχνοτητας) το οποιο μεταφραζεται σε εξαιρετικο ελεγχο του σηματος τοσο στα χαμηλα οσο και στα υψηλα. Καποιος που εχω κατασκευασει πριν δυο χρονια (με πολυ απλη τοπολογια a la Leach στην εισοδο του ενισχυτη διαφορας και με τοπολογια CFP στην εξοδο του) πετυχαινει χρονο ανοδου (rise time) 580nsec!! σε τετραγωνο συχνοτητας 10KHz οταν τροφοδοτειται με +/-28Vdc. Σαν μετρο συγκρισης, οι πολυ καλοι τελικοι ενισχυτες πετυχαινουν rise time απο 1,8 εως 2μsec (1800-2000nsec) αντιστοιχα. Φυσικα δεν χρειαζεται να μιλαμε για παραμορφωσεις κλπ καθως ειναι πρακτικα ανυπαρκτες για ενα καλοσχεδιασμενο κυκλωμα. Με πιο απλα λογια, ενας discrete ΤΕ μπορει να προσομοιοποιηθει με μια νταλικα ωφελιμου 5 τονων που μεταφερει ενα μονο δεμα βαρους πχ 100 κιλων. Για περαιτερω στοιχεια στη διαθεση σας.