ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΑΤΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

http://13tee-thess.thess.sch.gr/info-pn5.htm


Το "γνωστό FET" είναι το Junction FET (JFET).
Όπως και το διπολικό τρανζίστορ, έχει 3 όρια-ακροδέκτες (ποδαράκια): Gate (g) =πύλη, Source (s)=πηγή, Drain (d)=εκροή (αντίστοιχα με τα Β, Ε, C).
Η διαφορά με το διπολικό τρανζίστορ είναι ότι το g δεν διαρρέεται (πρακτικά) από ρεύμα και η ρύθμιση του ρεύματος s-d γίνεται από την εφαρμοζόμενη τάση στο g. Αυτό εξασφαλίζει υψηλή αντίσταση εισόδου, της τάξης των ΜΩ, που δεν "φορτώνει" την πηγή του σήματος. (Όπως περίπου με το οδηγό πλέγμα -grid- στην ηλεκτρονική λυχνία).
Η λειτουργία του FET βασίζεται στην επίδραση ηλεκτρικού πεδίου (που δημιουργείται από το ηλεκτρικό φορτίο στο g) στη ροή ηλεκτρονίων σε ένα μονήρες ημιαγωγό υλικό - "κανάλι" ρεύματος s-d. Γιαυτό το FET έχει ονομασθεί και "μονοπολικό" τρανζίστορ.
Το "κανάλι" μπορεί να είναι τύπου N ή P. Έτσι διακρίνουμε Ν-channel και P-channel FET.

Το ΜOSFET (Metal Oxide FET) ή IGFET (Ιnsulated Gate FET) έχει ένα πολύ λεπτό μονωτικό στρώμα οξειδίου μετάλλου που απομονώνει πλήρως το g από το κανάλι s-d, εκμηδενίζoντας το ρεύμα g, ώστε το g να συμπεριφέρεται πλέον σαν οπλισμός πυκνωτή και αυξάνοντας έτσι την αντίσταση εισόδου στην τάξη των χιλιάδων ΜΩ.
 
Last edited:
εαν καταλαβα καλα τα JFET σε σχεση με τα MOSFET εχουν λιγοτερες απωλειες και λιγοτερη θερμοτητα, καλυτερη ποιοτητα σηματος αλλα λιγοτερα βατ???
 
Top Bottom